光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 松元 理; 冨谷 茂隆; 中野 一志; 長井 政春; 伊藤 哲; 石橋 晃; 森田 悦男 |
| 发表日期 | 1996-02-20 |
| 专利号 | JP1996051251A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、活性層およびガイド層またはその周辺層の結晶性を高めて、発振性能の向上を図る。 【構成】 III-V 族化合物半導体からなる半導体基体11上に複数のII-VI 族化合物半導体層12を形成した光半導体装置1 であって、II-VI 族化合物半導体層12のうちのn形伝導のクラッド層22中、またはそのクラッド層22とガイド層24との間に、II-VI 族化合物半導体で形成した超格子23を少なくとも一組以上設けたものである。また、半導体基体11とII-VI 族化合物半導体層12との間に超格子(図示せず)を少なくとも一組以上設けたものである。もしくは、ガイド層24と活性層25との間またはガイド層24中にII-VI 族化合物半導体で形成した超格子(図示せず)が少なくとも一組以上設けたものである。 |
| 公开日期 | 1996-02-20 |
| 申请日期 | 1994-08-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81947]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松元 理,冨谷 茂隆,中野 一志,等. 光半導体装置. JP1996051251A. 1996-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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