半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 秋永 富士夫; 国安 利明 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP2000340879A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置において、ヒートシンクへの実装面に形成された端面保護膜を除去し実装面の濡れ性をよくし、信頼性の高い高出力を得る。 【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-Ga1-z1Alz1As下部クラッド層2、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2下部光導波層3、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層4、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部光導波層5、p-Ga1-z1Alz1As上部クラッド層6、p-GaAsコンタクト層7を形成する。その上に、p側電極8を形成し、n-GaAs基板1の研磨を行い、n側電極9を形成する。この後、共振器面以外に付着する端面保護膜を除去するためのMoの剥離層10をp側電極8上に作成する。次に、試料を劈開して形成した共振器面に高反射率コート11、低反射率コート12を行う。その後、剥離層10上に付着した端面保護膜ごと剥離層10を選択エッチング液で除去する。 |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 申请日期 | 1999-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81965]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋永 富士夫,国安 利明. 半導体レーザ装置の製造方法. JP2000340879A. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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