半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 鴫原 君男 |
| 发表日期 | 2009-12-11 |
| 专利号 | JP4422806B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 従来はアスペクト比の低減のためリッジ側と基板側の両方に低屈折率層を設けていたためリッジ部において幅方向に大きな屈折率差を生じて高次モードの発生を促していた。 【解決手段】 半導体基板側に配置したガイド層8aとクラッド層10aとの間に該クラッド層10aの屈折率nCLよりも低い屈折率nL を有する低屈折率層を設ける。 【効果】 上記低屈折率層9aによって光はバリア層6を境にして基板側にのみ拡がり、共振器長方向に伝播する光は半導体層の幅方向(y) ではリッジ部分とリッジ部の外側との屈折率差の影響を受けにくくなり高次モードの発生を防ぐことができる。 |
| 公开日期 | 2010-02-24 |
| 申请日期 | 1998-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81989]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鴫原 君男. 半導体レーザ. JP4422806B2. 2009-12-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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