半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 川中 敏; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 1995-01-31 |
| 专利号 | JP1995030188A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】光損傷レベルが高く、閾値電流が十分に低い高温高出力動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。 【構成】活性層の両側に活性層よりもバンドギャップが小さいクラッド層を設けたダブルヘテロ構造において、少なくとも一方のクラッド層を多層構造とし、活性層に隣接して設けた第一クラッド層の屈折率を他のクラッド層よりも小さくした。 【効果】100℃以上の温度においても100mW以上の光出力が得られる高温高出力動作特性に優れた半導体レーザ素子を実現できる。 |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 申请日期 | 1993-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81997]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中 敏,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1995030188A. 1995-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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