II-VI族化合物半導体の成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 晃; 伊藤 哲; 松元 理; 白石 誠司; 湊屋 理佳子; 樋江井 太 |
| 发表日期 | 1995-10-20 |
| 专利号 | JP1995273054A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体の成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 キャリア濃度が十分に高いp型のII-VI族化合物半導体あるいは低欠陥密度で結晶性に優れたII-VI族化合物半導体を成長させることを可能とする。 【構成】 GaAs基板などの半導体基板上にp型のII-VI族化合物半導体を分子線エピタキシー法などにより気相成長させるときに、{100}面から〈01-1〉方向に小さな角度だけオフした主面、〈011〉方向に小さな角度だけオフした主面または〈01-1〉方向に小さな角度だけオフし、さらに〈011〉方向に小さな角度だけオフした主面を有する半導体基板1を用いる。低欠陥密度のII-VI族化合物半導体を成長させるためには、特に、{100}面から〈01-1〉方向に小さな角度だけオフした主面を有する半導体基板1を用いる。 |
| 公开日期 | 1995-10-20 |
| 申请日期 | 1994-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82012]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 晃,伊藤 哲,松元 理,等. II-VI族化合物半導体の成長方法. JP1995273054A. 1995-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。