半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山田 篤志; 岡本 和也 |
| 发表日期 | 1996-02-02 |
| 专利号 | JP1996032172A |
| 著作权人 | 株式会社ニコン |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】しきい値電流の低い量子井戸型半導体レーザを提供する。 【構成】半導体材料で構成されたポテンシャルの低い井戸領域31と、少なくとも一方向について井戸領域31を両側から挾むポテンシャルの高い周辺領域33とを有する量子井戸構造を活性領域14に備えた半導体レーザ。井戸領域31と周辺領域33との間には、周辺領域33よりもポテンシャルの高い障壁領域32が配置されている |
| 公开日期 | 1996-02-02 |
| 申请日期 | 1994-07-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82041]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社ニコン |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 篤志,岡本 和也. 半導体レーザ. JP1996032172A. 1996-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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