半導体人工積層構造材料及び電流注入型発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 柄沢 武; 大川 和宏; 三露 常男 |
| 发表日期 | 1995-04-25 |
| 专利号 | JP1995111359A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体人工積層構造材料及び電流注入型発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 良好なレーザー発振特性を実現することのできる半導体人工積層構造材料、及びこの材料を用いた電流注入型発光素子を提供する。 【構成】 n型GaAs基板56の上に、層厚5μmのn型Zn0.7 Mn0.23S0.17Se0.83クラッド層55、層厚3000オングストロームのn型ZnS0.07Se0.93光閉じ込め層54、層厚100オングストロームのノンドープZn0.7 Cd0.3 Se活性層51、層厚3000オングストロームのp型ZnS0.07Se0.93光閉じ込め層52、層厚1μmのp型Zn0.7 Mn0.23S0.17Se0.83クラッド層53、層厚1000オングストロームのp+ ZnSeコンタクト層58の順に結晶成長を行う。絶縁層60としてSiO2 を用いて酸化膜ストライプを形成し、その上からAuを全面に真空蒸着することによって電極59を形成する。n型GaAs基板56の裏面に、Inを用いて電極57を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-04-25 |
| 申请日期 | 1993-10-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82049]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柄沢 武,大川 和宏,三露 常男. 半導体人工積層構造材料及び電流注入型発光素子. JP1995111359A. 1995-04-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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