半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高木 守; 金森 勝彦; 木村 裕治 |
| 发表日期 | 1996-04-12 |
| 专利号 | JP1996097496A |
| 著作权人 | 日本電装株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 共振器端面に形成する反射膜の膜剥がれを防止する。 【構成】 GaAsやInP基板1に、活性層を有するエピタキシャル層2、オーミックコンタクト電極3、4、はんだ層5からなる共振器の端面に、少なくともエピタキシャル層2を覆って反射膜6、7を選択的にコーティングして形成する。また、その端面の反射膜6、7が形成されていない領域を露出部20、21とする。 |
| 公开日期 | 1996-04-12 |
| 申请日期 | 1994-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82053]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電装株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木 守,金森 勝彦,木村 裕治. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1996097496A. 1996-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。