半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 定政 哲雄 |
| 发表日期 | 1993-09-21 |
| 专利号 | JP1993243683A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 へき開を正常に且つ平坦性良く行うことができ、素子の信頼性及び特性の向上をはかり得る半導体装置の製造方法を提供すること。 【構成】 半導体基板10上に、屈折率の大きな活性層16を屈折率の小さなクラッド層14,15で挟んだ活性領域を有する半導体装置の製造方法において、n型InP基板10上に所望の長さと幅を持ってn型InPクラッド層14を形成したのち、このクラッド層14の端部近傍を除く領域上及び基板10上にInGaAsP活性層16(16a,16b )を形成し、次いで基板10上にp型InPクラッド層15を形成し、次いでクラッド層14の端部よりも外側において、クラッド層15を活性層16bが露出するまで選択エッチングし、次いで露出した活性層16bをエッチングし、しかるのちクラッド層14の段差箇所合わせクラッド層15の一部をへき開して光入出力窓を形成することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1993-09-21 |
| 申请日期 | 1992-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82055]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 定政 哲雄. 半導体装置の製造方法. JP1993243683A. 1993-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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