半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 多田 健太郎 |
| 发表日期 | 1999-09-17 |
| 专利号 | JP2980302B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力でもキンクの生じない半導体レーザを提供する。 【構成】 n型GaAs基板1上に、n型外側クラッド層2、n型ガイド層3、n型内側クラッド層4、多重量子井戸活性層5、p型内側クラッド層6、p型ガイド層7、p型外側クラッド層8、p型バッファ層9、p型キャップ層10を積層し、エッチングによりメサ状ストライプを形成し、n型GaAsブロック層12をメサ脇に積層し、p型GaAsコンタクト層13をメサ部及びメサ脇部に積層する。メサ部分では端面での光の分布がp側及びn側クラッド層それぞれに偏り、メサ脇部分では端面での光の分布がn側に偏っている。メサ部分とメサ脇部分の屈折率差が大きく、キンクが生じる光出力を大きくできる。また外側クラッド層の屈折率がガイド層の屈折率より低いため、層厚方向の光の分布がGaAs基板及びp型コンタクト層にまで及ばず、内部損失を小さくできる。 |
| 公开日期 | 1999-11-22 |
| 申请日期 | 1994-03-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82069]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 健太郎. 半導体レーザ. JP2980302B2. 1999-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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