半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡崎 治彦 |
| 发表日期 | 1995-06-23 |
| 专利号 | JP1995162078A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 メサの高さと活性層の形成位置および埋め込み形状の最適化をはかる事により効果的に電流狭窄され得る半導体レーザを提供することである。 【構成】 半導体レ-ザは、n-InP基板11上のn-InPバッファ層12と、メサストライプ状に形成されたn-InPバッファ層12の一部とn-InGaAsP活性層13とp-InPクラッド層14とからなる電流注入部と、該電流注入部の両側に埋め込まれたp-InP層15及びn-InP層16とからなる電流ブロック層とを含み、n-InP層15がメサ状の上記電流注入部の斜面に沿ってせり上がっておりかつ凹部21を有する形状である。 |
| 公开日期 | 1995-06-23 |
| 申请日期 | 1993-12-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82101]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡崎 治彦. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1995162078A. 1995-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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