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半導体レーザ素子及びその製造方法

文献类型:专利

作者岡崎 治彦
发表日期1995-06-23
专利号JP1995162078A
著作权人株式会社東芝
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子及びその製造方法
英文摘要【目的】 メサの高さと活性層の形成位置および埋め込み形状の最適化をはかる事により効果的に電流狭窄され得る半導体レーザを提供することである。 【構成】 半導体レ-ザは、n-InP基板11上のn-InPバッファ層12と、メサストライプ状に形成されたn-InPバッファ層12の一部とn-InGaAsP活性層13とp-InPクラッド層14とからなる電流注入部と、該電流注入部の両側に埋め込まれたp-InP層15及びn-InP層16とからなる電流ブロック層とを含み、n-InP層15がメサ状の上記電流注入部の斜面に沿ってせり上がっておりかつ凹部21を有する形状である。
公开日期1995-06-23
申请日期1993-12-07
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82101]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社東芝
推荐引用方式
GB/T 7714
岡崎 治彦. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1995162078A. 1995-06-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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