3-5族化合物半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 家近 泰; 小野 善伸; 高田 朋幸 |
| 发表日期 | 1997-01-10 |
| 专利号 | JP1997008350A |
| 著作权人 | SUMITOMO CHEM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 3-5族化合物半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に対して電極等を形成するためにドライエッチングを行なった際のエッチングダメージを回復させ、良好な品質の3-5族化合物半導体を製造する方法を提供する。 【構成】〔1〕一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体をドライエッチングした後、不活性雰囲気中で400℃以上で熱処理する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。 〔2〕ドライエッチングが、稀ガス、ハロゲン元素を含む分子又はこれらの混合ガスを用いることを特徴とする〔1〕記載の3-5族化合物半導体の製造方法。 |
| 公开日期 | 1997-01-10 |
| 申请日期 | 1995-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82103]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO CHEM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 家近 泰,小野 善伸,高田 朋幸. 3-5族化合物半導体の製造方法. JP1997008350A. 1997-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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