光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 尾江 邦重 |
| 发表日期 | 1993-11-05 |
| 专利号 | JP1993291547A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 超格子構造を用いた光変調器や半導体レーザなどの特性を改善する。 【構成】 光半導体装置において、例えば(110)面から(111)B面方位へ3度まで傾けた範囲の任意の角度の面方位を持つInP基板1上に形成したInAlGaAsとInAlAs混晶からなる超格子構造3を光導波路として用いるように構成する。InPの(110)面またはその方位から少しずれた基板面方位上に形成された超格子構造3は、面内の直角の方向に対して正孔の有効質量が1桁位違うと考えられる。これは、バンド構造が面内の方向により大きく違っていることからくるものである。よって、このバンド構造の特異性のために、電界をかけた時の光吸収に関与するメカニズムに変化が現われ、エキシトン·ピークの吸収が電圧により増大し、光変調器の性能を向上させることができる。 |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 申请日期 | 1992-04-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82112]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尾江 邦重. 光半導体装置. JP1993291547A. 1993-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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