半導体光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 畠山 大; 佐々木 達也 |
| 发表日期 | 1999-04-13 |
| 专利号 | JP1999103126A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 曲線等の任意のストライプ形状を有し、少なくとも部分的には光増幅媒体であるような半導体光導波路を、半導体基板上にパターニングされた一対の誘電体ストライプマスクのマスク空隙部に、有機金属気相化学成長法(MOVPE)により選択的に結晶成長する半導体光素子作製方法(選択MOVPE)により形成する際、該半導体光導波路の結晶組成を導波路の各部で一定にすることができる製造方法を提供する。 【解決手段】 選択MOVPEによる素子作製において、閃亜鉛鉱型半導体基板の(100)面上にパターニングする一対の誘電体ストライプマスクのマスク幅及びマスク開口幅を、半導体光導波路のストライプ方向と[011]結晶方位のなす角に応じて変化させることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-04-13 |
| 申请日期 | 1997-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82125]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畠山 大,佐々木 達也. 半導体光素子及びその製造方法. JP1999103126A. 1999-04-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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