半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 直 |
| 发表日期 | 2008-05-16 |
| 专利号 | JP4123554B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 素子の信頼性を低下させることなく、簡単なプロセスで、窓構造を有し、しかも実屈折率導波型の半導体レーザを製造する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にバッファ層2、3を介してn型AlGaInPクラッド層4、活性層5、p型AlGaInPクラッド層6、p型GaInP中間層7およびp型GaAsキャップ層8を順次成長させる。p型GaAsキャップ層8上にストライプ形状に形成した絶縁膜9をマスクとしてp型AlGaInPクラッド層6の厚さ方向の途中の深さまでエッチングし、形成した溝の内部にn型AlGaAs層11を選択成長させて埋め込む。次に、p側電極およびn側電極を形成した後、レーザ構造が形成されたn型GaAs基板1を劈開してチップ化する。 |
| 公开日期 | 2008-07-23 |
| 申请日期 | 1998-01-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82127]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 直. 半導体レーザの製造方法. JP4123554B2. 2008-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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