半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 川中 敏; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 1995-06-23 |
| 专利号 | JP1995162082A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】素子抵抗が低く、且つ低電圧で駆動することができ、高周波信号に対する応答性に優れた半導体レーザ素子を提供する。 【構成】コンタクト層に用いるGaAsとクラッド層に用いるAlGaInPの禁制帯幅のほぼ中間の禁制帯幅を持つAlGaAsバッファ層をクラッド層とコンタクト層の間に形成し、バッファ層のホール濃度を1019cm-3程度としてコンタクト層と同等のホール濃度に設定した。 【効果】従来の構造に比べると、素子抵抗を20〜30%低減することができ、駆動電圧を下げるとともに高周波特性が向上し、制御性の優れた半導体レーザ素子を実現できた。 |
| 公开日期 | 1995-06-23 |
| 申请日期 | 1993-12-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82135]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中 敏,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1995162082A. 1995-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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