半導体発光装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小川 正道 |
| 发表日期 | 1997-06-20 |
| 专利号 | JP1997162481A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ウエットエッチングのみでリッジの形成を行うことができるようにし、しかもそのエッチング途中での形状観察による確認を回避できるようにして、作業性の向上、ひいては量産性の向上、コストの低減化をはかる。 【解決手段】 基板1上に、少なくとも第1導電型のクラッド層4と、活性層5と、第2導電型のAlGaInP系の第1クラッド層6と、P(りん)を含む化合物半導体よりなる第1のエッチングストップ層7Aと、第2導電型のAlGaInP系の第2クラッド層8と、P(りん)を含まない化合物半導体による第2のエッチングストップ層7Bと、第2導電型のP(りん)を含むコンタクト層9とが形成され、ストライプ状の電流通路を挟んでその両側に溝13が上記第1のエッチングストップ層7Aに至る深さに形成され、この溝13に電流狭窄層14が埋め込まれてなる構成とする。 |
| 公开日期 | 1997-06-20 |
| 申请日期 | 1995-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82137]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小川 正道. 半導体発光装置とその製造方法. JP1997162481A. 1997-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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