半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 畑 雅幸; 別所 靖之 |
| 发表日期 | 2010-01-21 |
| 专利号 | JP2010016095A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】容易に電極を外部に接続することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置100は、表面上に絶縁性を有するアンドープGaAs層52(52aおよび52b)が形成されたn型GaAs基板51上に形成され、n型AlGaAsクラッド層11、活性層12およびp型AlGaAsクラッド層13の順に有する赤外半導体レーザ素子10と、n型AlGaInPクラッド層21、活性層22およびp型AlGaInPクラッド層23の順に有する赤色半導体レーザ素子20と、n型GaAs基板51の表面上に融着層60を介して接合されるとともに、n型GaAs基板51と電気的に接続され、n型GaAs基板51の側から、p型AlGaNクラッド層43、活性層42およびn型AlGaNクラッド層41の順に有する青紫色半導体レーザ素子40とを備える。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-01-21 |
| 申请日期 | 2008-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82140]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑 雅幸,別所 靖之. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2010016095A. 2010-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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