半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 井上 武史 |
| 发表日期 | 1998-05-06 |
| 专利号 | JP1998117039A |
| 著作权人 | YOKOGAWA ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】回折格子を形成する工程と活性層の結晶成長工程を時間的に分離できるようにすることにより、製造の工程管理を容易にした半導体レーザの製造方法の実現。 【解決手段】共振器方向に周期性を持つ回折格子と、その上方に活性層を含む複数の半導体層を形成する半導体レーザの製造方法において、前記回折格子のエッチング形成工程の後に、一旦回折格子が平坦になるまでクラッド層と同等の低屈折率半導体層を結晶成長させ、続いて表面保護層を形成する工程と、次に、前記表面保護層を除去した直後に活性層を含む半導体層の結晶成長を行う工程を備える。 |
| 公开日期 | 1998-05-06 |
| 申请日期 | 1996-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82156]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | YOKOGAWA ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 武史. 半導体レーザの製造方法. JP1998117039A. 1998-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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