半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 窪田 晋一 |
| 发表日期 | 2000-05-30 |
| 专利号 | JP2000151023A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光装置に関し、エレクトロンブロック層を設けることなく、しきい値電流密度Jthを低減する。 【解決手段】 ナイトライド系化合物半導体を用いた半導体発光装置を構成するp型クラッド層5のp側光ガイド層3との境界側に、p型クラッド層5全体に比べて局所的に高濃度ドーピングされた高濃度ドーピング層6を設ける。 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 申请日期 | 1998-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82157]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 窪田 晋一. 半導体発光装置. JP2000151023A. 2000-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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