光半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 足立 秀人; 柴田 淳 |
| 发表日期 | 1993-10-15 |
| 专利号 | JP1993267774A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 共振器ミラーにGaAs/AlAs半導体多層膜を用いた垂直共振器型面発光レーザにおいて、低い印加電圧で動作する面発光レーザを提供する。 【構成】 p型AlAs層103を成長するときのp型ドーパントのセル温度を高く設定することによって、ドーピングレベルが高くかつ無秩序化することのないGaAs/AlAs層を作製する。 |
| 公开日期 | 1993-10-15 |
| 申请日期 | 1992-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82161]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 足立 秀人,柴田 淳. 光半導体装置およびその製造方法. JP1993267774A. 1993-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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