半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪口 眞弓; 古山 英人 |
| 发表日期 | 1993-10-22 |
| 专利号 | JP1993275796A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高抵抗半導体層のみで電流をブロックすることにより素子の不均一、歩留まりの低下等を防ぎ、高効率、高速変調可能な半導体レーザを低価格で提供することを目的とする。 【構成】 第1導電型の第1の半導体層と、該第1導電型の第1の半導体層表面上に形成された正孔と電子の結合により発光する発光領域と、該発光領域の両側に電子を捕獲する深い準位を有した高抵抗半導体層よりなる高抵抗半導体層と、前記発光領域上及び前記高抵抗半導体層上に形成された第2導電型のキャップ層とを少なくとも有し、該第2導電型のキャップ層と前記高抵抗半導体層との接触部でヘテロ接合を形成し、前記ヘテロ接合のバンド不連続が正孔に対して高いエネルギー障壁を成すことを特徴とする半導体レーザ装置。 |
| 公开日期 | 1993-10-22 |
| 申请日期 | 1992-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82185]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪口 眞弓,古山 英人. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1993275796A. 1993-10-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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