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半導体レーザ

文献类型:专利

作者平田 照二
发表日期2009-11-19
专利号JP2009272470A
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ
英文摘要【課題】DFBを用いた波長制御を実用レベルで達成したブロードエリア型の半導体レーザを提供する。 【解決手段】基板10とn型クラッド層11との界面に2つの回折格子23A,23Bが形成されている。これら回折格子23A,23Bは、リッジ部19と対応する帯状の光導波領域24(図示せず)の両端であって、かつリッジ部19の延在方向に延在する帯状の領域に形成されている。光導波領域24の両端ではインデックスガイドに起因して波面が平坦になっているので、光導波領域24の両端において回折格子23A,23Bによるフィードバックにより所定の波長での発振が生じ、光導波領域24の両端での発振に伴って光導波領域24の中央で発振が誘起される。 【選択図】図2
公开日期2009-11-19
申请日期2008-05-08
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82191]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
平田 照二. 半導体レーザ. JP2009272470A. 2009-11-19.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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