半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 萬濃 正也; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1999-07-23 |
| 专利号 | JP2956425B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 安定な横モードで低電流動作可能な可視光半導体レーザを提供する。
【構成】(100)p-GaAs基板104表面上に〔1-10〕方向のストライプ溝を形成する。溝に成長温度が4001)を現出する。さらにGaAs表面20上に、成長温度(Tg)が600℃ |
| 公开日期 | 1999-10-04 |
| 申请日期 | 1993-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82197]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 萬濃 正也,大仲 清司. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2956425B2. 1999-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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