半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 渡部 泰弘; 薮内 隆稔 |
| 发表日期 | 1994-02-10 |
| 专利号 | JP1994037386A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 高出力かつ長寿命の半導体レーザを提供する。 【構成】 半導体基板上に電流阻止層2を形成し、端面近傍4で電流が流れず中央近傍5で電流が流れる様にストライプ層を形成する。電流層阻止層上にクラッド層6と活性層7と表面電極10を形成する。表面電極として、活性層の巾全体に広がる中央部電極12、及びストライプ溝3の上方に位置しかつストライプ溝の巾より大きく中央部電極の巾より小さい巾を有する端部電極11を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-02-10 |
| 申请日期 | 1992-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82203]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡部 泰弘,薮内 隆稔. 半導体レーザ. JP1994037386A. 1994-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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