窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 山田 孝夫; 長濱 慎一; 蝶々 一幸; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1998-10-27 |
| 专利号 | JP1998290047A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 結晶性が良く、高出力、高効率の窒化物半導体よりなる素子を提供し、具体的に低閾値電流で連続発振するレーザ素子、及び高効率なLED素子を実現する。 【構成】 基板上部に、n不純物がドープされていないか、若しくはn型不純物濃度が小さい窒化物半導体よりなる第1の層を有し、その第1の層上部に、第1の層よりもn型不純物濃度が大きい窒化物半導体よりなる第2の層を有し、その第2の層に負電極が形成されていることにより、結晶性が良く高キャリア濃度の第2の層が形成できるため、負電極とのオーミック性が良くなり、素子の効率が向上する。 |
| 公开日期 | 1998-10-27 |
| 申请日期 | 1997-03-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82205]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫,長濱 慎一,蝶々 一幸,等. 窒化物半導体素子. JP1998290047A. 1998-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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