半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 小野 健一; 山下 光二 |
| 发表日期 | 1998-09-18 |
| 专利号 | JP2827605B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋込みリッジ型半導体レーザ装置において、リッジ状エッチングによる上クラッド層厚のばらつきがあっても水平ビームの広がり角がばらつかないような半導体レーザ装置を得る。 【構成】 上,下クラッド層(Al1-yGayAs)4,2のAl組成比を活性層3から離れるにつれ大きくなるように構成することにより、電流ブロック層5部分の等価屈折率n-ikを制御することを特徴としている。 |
| 公开日期 | 1998-11-25 |
| 申请日期 | 1991-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82215]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野 健一,山下 光二. 半導体レーザ装置. JP2827605B2. 1998-09-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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