半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 宏明 |
| 发表日期 | 2002-01-18 |
| 专利号 | JP3270374B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流ブロック層での発振光吸収によるタ一ンオンの問題が無く、メサストライプの高さ等の設計自由度の高い半導体レ一ザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板1と、半導体基板1上に形成された第1のクラッド層3と、第1のクラッド層3上に形成された活性層4と、活性層4上に形成され部分的に厚みが増したメサストライプを有する第2のクラッド層5、7と、メサストライプの両側方の第2のクラッド層5上に形成された電流ブロック層21とを備え、電流ブロック層21は、半導体結晶をその融点以下の温度で成長させたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2002-04-02 |
| 申请日期 | 1997-11-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82222]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 宏明. 半導体レーザの製造方法. JP3270374B2. 2002-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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