半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 内田 徹 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263791A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 高い特性温度を実現することのできる1μm帯半導体レーザを提供する、及び光変換効率の高い半導体レーザを提供する。 【構成】 発光を行なう活性層5と、活性層を挟み、活性層より大きなバンドギャップを有するガイド層6と、ガイド層の両側を挟み、ガイド層よりも大きなバンドギャップを有するクラッド層7とを含むレーザ構造を有し、GaAsの格子定数をa1、InPの格子定数をa2とした時、ガイド層とクラッド層の格子定数がa1よりも0.5%以上大きく、a2よりも0.5%以上小さく、活性層が、その他の層の格子定数と異なる格子定数を有し、その膜厚が少なくとも単原子層の膜厚以上臨界膜厚以下である。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82228]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 徹. 半導体レーザ. JP1995263791A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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