半導体分布帰還型レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 多田 邦雄; 中野 義昭; 曹 宏力; 羅 毅; 井上 武史; 細松 春夫; 岩岡 秀人 |
| 发表日期 | 1993-06-11 |
| 专利号 | JP1993145169A |
| 著作权人 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層の利得に周期分布をもたせて利得結合による光分布帰還を得る。 【構成】 活性層のレーザ光軸方向に沿って周期的に導電性が変化する構造を設け、活性層の電流密度に周期的な分布を生じさせる。 |
| 公开日期 | 1993-06-11 |
| 申请日期 | 1991-09-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82240]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 邦雄,中野 義昭,曹 宏力,等. 半導体分布帰還型レーザ装置. JP1993145169A. 1993-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。