半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉川 兼司; 牧田 幸治 |
| 发表日期 | 2006-08-31 |
| 专利号 | JP2006229143A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】窓構造を有するリッジストライプ型の半導体レーザ素子において、エッチングストップ層の抜けを確実に防止し、歩留まりが高く且つ信頼性が高い半導体レーザ素子を実現できるようにする。 【解決手段】n-GaAsからなる半導体基板11の上に、n-AlGaInPからなる下側クラッド層12と、窓領域を有するノンドープの活性層13と、p-AlGaInPからなる中間クラッド層14と、エッチングストップ層15と、p-AlGaInPからなるストライプ状の上側クラッド層16とが順次形成されている。エッチングストップ層15は、p-GaInPからなる第1の薄膜15Aとp-AlGaInPからなる第2の薄膜15Bとが周期的に積層された量子井戸構造を有しており、第2の薄膜15Bのアルミニウムの組成比は中間クラッド層14及び上側クラッド層16と比べて小さい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-08-31 |
| 申请日期 | 2005-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82244]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉川 兼司,牧田 幸治. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2006229143A. 2006-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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