半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 大久保伸洋 |
| 发表日期 | 2012-02-29 |
| 专利号 | CN101621177B |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光装置。在该半导体激光装置中，第一引线具有在表面上经由子固定部件搭载半导体激光元件的搭载部以及与该搭载部连接并延伸的引线部。在将从半导体激光元件射出主光束的方向定义为前方，将相对于该前方垂直且与搭载部的表面平行的方向定义为横向的情况下，第一引线在搭载部的侧面的一个区域上，具有与半导体激光元件的侧面平行且平坦的横向基准面。在搭载部的侧面的一个区域上，形成有与横向基准面邻接的凹部。 |
| 公开日期 | 2012-02-29 |
| 申请日期 | 2009-06-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82252]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保伸洋. 半导体激光装置. CN101621177B. 2012-02-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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