半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 鳥井 康介; 内藤 秀幸; 宮本 昌浩; 樋口 彰; 青木 優太; 森田 剛徳; 宮島 博文; 前田 純也; 吉田 治正 |
| 发表日期 | 2014-01-16 |
| 专利号 | JP2014007335A |
| 著作权人 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】水平方向への発振を抑制することができるVCSELを提供する。 【解決手段】半導体発光素子1は、基板11、活性層21、第1のミラー部24、第2のミラー部25、絶縁領域25a及び発光窓部51a,51bを備える。半導体積層方向に直交する方向に発振するための第1閾値利得を増大させる閾値利得増大部が、半導体積層方向からみて発光窓部51a,51bと重ならない領域又は素子の側部に形成されている。閾値利得増大部は、該閾値利得増大部の形成前後において半導体積層方向に発振するための閾値利得である第2閾値利得と第1閾値利得との大小関係を変更するように形成されている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2014-01-16 |
| 申请日期 | 2012-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82254]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鳥井 康介,内藤 秀幸,宮本 昌浩,等. 半導体発光素子. JP2014007335A. 2014-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。