半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 畑雅幸; 别所靖之; 野村康彦; 庄野昌幸 |
| 发表日期 | 2012-02-15 |
| 专利号 | CN1744398B |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。 |
| 公开日期 | 2012-02-15 |
| 申请日期 | 2005-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82260]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑雅幸,别所靖之,野村康彦,等. 半导体激光装置及其制造方法. CN1744398B. 2012-02-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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