激光二极管装置
文献类型：专利
| 作者 | 艾尔弗雷德·莱尔; 森克·陶茨; 乌韦·施特劳斯; 克莱门斯·菲尔海利希 |
| 发表日期 | 2015-12-30 |
| 专利号 | CN105207052A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激光二极管装置 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体(1)，其具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的装配件(11)，装配件沿着延伸方向(110)远离壳体部件(10)延伸；以及在装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，激光二极管芯片在衬底(20)上具有带用于辐射光的有源层(23)的半导体层(21、22、23、24)，其中在激光二极管芯片(2)和装配件(11)之间设有第一焊料层(3)，第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在辐射耦合输出面(27)上施加有结晶保护层(6)。 |
| 公开日期 | 2015-12-30 |
| 申请日期 | 2013-03-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82267]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 艾尔弗雷德·莱尔,森克·陶茨,乌韦·施特劳斯,等. 激光二极管装置. CN105207052A. 2015-12-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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