半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 井上大二朗; 广山良治; 竹内邦生; 野村康彦; 畑雅幸 |
| 发表日期 | 2004-12-29 |
| 专利号 | CN1182637C |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 在具有突出部分的p-涂层上依次形成在突出部分上具有带状开口的载流子积蓄防止层、低载流子浓度层及n-电流阻挡层。低载流子浓度层具有比n-电流阻挡层更低的载流子浓度。载流子积蓄防止层的禁带宽度设定为p-涂层的禁带宽度与低载流子浓度层的禁带宽度之间的值。或，在n-载流子积蓄防止层上形成低载流子浓度第1电流阻挡层及反向导电型第2电流阻挡层，在反向导电型第2电流阻挡层以及p-接触层上形成p-接触层。 |
| 公开日期 | 2004-12-29 |
| 申请日期 | 2000-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82287]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上大二朗,广山良治,竹内邦生,等. 半导体激光元件. CN1182637C. 2004-12-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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