半导体激光二极管及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 早藤纪生; 川津善平 |
| 发表日期 | 1996-11-27 |
| 专利号 | CN1136720A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光二极管及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明的目的是制得一种发射从紫外到绿色光这一范围的短波长光的高性能的半导体激光二极管和提供其制造方法。其构成是先在蓝宝石基板1上边形成n型GaN接触层5，然后在此n型GaN接触层5上边形成把n型AlGaN层7、非掺杂GaN活性层8、p型AlGaN包层9、p型GaN接触层10、p型半导体反射镜11迭层起来的外延层。这样一来，蓝宝石基板1的背面和n型接触层5的面连续地构成为几乎同一平面，并在此同一平面上形成与n型接触层5连接的电极。 |
| 公开日期 | 1996-11-27 |
| 申请日期 | 1996-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82298]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早藤纪生,川津善平. 半导体激光二极管及其制造方法. CN1136720A. 1996-11-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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