氮化物半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 京野孝史; 盐谷阳平; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博; 风田川统之 |
| 发表日期 | 2014-07-30 |
| 专利号 | CN103959580A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。 |
| 公开日期 | 2014-07-30 |
| 申请日期 | 2012-06-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82307]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 京野孝史,盐谷阳平,上野昌纪,等. 氮化物半导体发光元件. CN103959580A. 2014-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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