半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 别所靖之; 畑雅幸; 井上大二朗 |
| 发表日期 | 2012-01-25 |
| 专利号 | CN101478116B |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 红色半导体激光元件的p型衬垫电极和第一端子用导线连接，红外半导体激光元件的p型衬垫电极和第二端子用导线连接，蓝紫色半导体激光元件的p电极和第三端子用导线连接。此外蓝紫色半导体激光元件的n电极与底座实现电导通。红色半导体激光元件的n电极与底座用导线连接，红外半导体激光元件的n电极与底座用导线连接。在底座内设置第四端子。 |
| 公开日期 | 2012-01-25 |
| 申请日期 | 2005-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82355]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 别所靖之,畑雅幸,井上大二朗. 半导体激光装置. CN101478116B. 2012-01-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。