半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 我妻新一; 内田史朗 |
| 发表日期 | 2006-08-23 |
| 专利号 | CN1822458A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种有效参数型半导体激光器，其具有依次向上设置的下覆层、有源层和上覆层，所述上覆层形成为条形脊结构，其中形成所述条形脊结构的底部和斜坡的所述上覆层用由两层或更多层低折射率层形成的层结构的掩埋层覆盖，以防止激光的吸收，吸收振荡波长激光的光吸收层插入在它们之间。该半导体激光器防止由于高阶模式所导致的拐点，并因此而实现高的输出水平。 |
| 公开日期 | 2006-08-23 |
| 申请日期 | 2006-02-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82433]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 我妻新一,内田史朗. 半导体激光器. CN1822458A. 2006-08-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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