一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭霞; 史磊; 李冲; 何艳; 胡帅; 董建 |
| 发表日期 | 2016-03-30 |
| 专利号 | CN105449518A |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法属于半导体光电子技术领域。激光器，包括下电极，衬底，有源区和上电极，包括下布拉格反射镜，有源区，电流限制层，电流限制孔，上布拉格反射镜和SiO2钝化层，其特征在于：上布拉格反射镜上方设有出光窗口，所述出光窗口布置有银纳米线透明导电薄膜，使电流从电极向有源区扩散的更均匀，从而提高出光质量和输出光功率。器件制作所用工艺为传统垂直腔面发射激光器制作工艺，不增加额外加工工艺，制作成本低，可操作性强，可重复性好。 |
| 公开日期 | 2016-03-30 |
| 申请日期 | 2016-01-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82554]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭霞,史磊,李冲,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN105449518A. 2016-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。