光半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 境野刚 |
| 发表日期 | 2016-07-27 |
| 专利号 | CN105811239A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明得到一种光半导体装置，其能够兼顾半导体激光器部与光波导部之间的电分离以及高的光耦合效率。光波导部(3)的上包层(9)具有与半导体激光器部(2)的p型包层(6)相比载流子浓度较低的第一低载流子浓度层(10)、在第一低载流子浓度层(10)上形成的Fe掺杂InP层(11)。漏电流抑制层(14)具有配置在p型半导体层(13)的旁边的Fe掺杂InP层(15)。第一低载流子浓度层(10)具有与p型包层(6)的侧面接触的侧壁部(12)。Fe掺杂InP层(11)隔着第一低载流子浓度层(10)的侧壁部(12)而配置在p型包层(6)的旁边，与p型包层(6)不接触。 |
| 公开日期 | 2016-07-27 |
| 申请日期 | 2016-01-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82567]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 境野刚. 光半导体装置. CN105811239A. 2016-07-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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