面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 宮本 育昌 |
| 发表日期 | 2008-02-07 |
| 专利号 | JP2008027949A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 ESDの耐圧を向上させつつ電流利用効率の低下を抑制する、面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 VCSEL10は、基板12上にレーザ光を出射する構造体30と、ESD対策用の構造体40-1〜40-8を含んでいる。構造体30は、メサタイプであり、その周囲が溝32によって半導体層が除去されており、その頂部にはp側上部電極層24aが形成されている。上部電極層24aにはレーザ出射用の開口部28aが形成されている。構造体40-1〜40-8は、非メサタイプであり、その周囲に離間された溝42が形成され、その上部電極層24bは配線層50によって上部電極層24aに接続されている。構造体30の上部電極層24aから下部DBR14に至る電流経路の抵抗は、構造体40-1〜40-8の上部電極層24bから下部DBR14に至る電流経路の抵抗よりも小さい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-02-07 |
| 申请日期 | 2006-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82569]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮本 育昌. 面発光型半導体レーザ. JP2008027949A. 2008-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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