面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大森 誠也 |
| 发表日期 | 2012-09-21 |
| 专利号 | JP5087874B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 外部接続用の電極パッド等の金属層が形成される領域の絶縁耐圧を高くし、歩留まりを向上させコスト低減を図る。 【解決手段】 VCSELは、n型GaAs基板10上に、n型の下部DBR12、活性層14、電流狭窄層16、p型の上部DBR18を含み、上部DBR18から下部DBR12の一部に至る半導体層を除去することによりポストPが形成され、ポスト頂部の上部DBR18と電気的に接続された電極パッド28とn型下部DBR12との間に多層絶縁膜が形成されている。多層絶縁膜により絶縁耐圧が向上する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2012-12-05 |
| 申请日期 | 2006-07-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82627]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大森 誠也. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP5087874B2. 2012-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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