半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 小林隆二; 小林正英 |
| 发表日期 | 2016-08-24 |
| 专利号 | CN105896310A |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体器件。改善半导体激光器的特性。在具有n型包层、有源层以及p型包层的半导体激光器中，提供电流阻挡层。例如，电流阻挡层部分地布置在p型包层和有源层之间，以及在p型包层与有源层的重叠区中。因此，在p型包层与有源层的重叠区的电流狭窄区中，布置电流阻挡层，由此抑制注入有源层的一部分中的电流。这致使形成饱和吸收区，其致使半导体激光器的光输出的强度差异。这可实现自脉动。 |
| 公开日期 | 2016-08-24 |
| 申请日期 | 2015-04-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林隆二,小林正英. 半导体器件. CN105896310A. 2016-08-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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