半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 文基愿; 朴钟翼; 金裕承; 吴蕙兰 |
| 发表日期 | 2006-05-03 |
| 专利号 | CN1767283A |
| 著作权人 | 三星电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种能抑制由于其输出增加引起的远场水平(FFH)变化的高输出半导体激光装置及其制造方法。根据本发明的半导体激光装置包括第一导电型的第一覆层，形成在衬底上；活性层，形成在第一覆层上；第二导电型的第二覆层，形成在活性层上，并包含具有脊状结构的上部区域，其中第二覆层具有至少一个插入脊状结构的高折射率层，该高折射率层具有高于第二覆层的折射率。 |
| 公开日期 | 2006-05-03 |
| 申请日期 | 2005-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82681]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文基愿,朴钟翼,金裕承,等. 半导体激光装置及其制造方法. CN1767283A. 2006-05-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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