面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 乙間 広己; 山本 将央; 櫻井 淳 |
| 发表日期 | 2006-01-12 |
| 专利号 | JP2006013366A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ光の偏光方向を安定的に一定方向に制御することが可能なVCSELを提供する。 【解決手段】 基板上に形成されたメサ構造10は、その内部に少なくとも活性層を含み、メサ構造10の頂部から基板と垂直方向にレーザ光を出射する。基板水平面20に対して垂直であり、かつ、メサ構造10のおおよそ中心を原点とする2つの直交する直交面(X面、Y面)が、メサ構造の側面と交わる交線をそれぞれLx1線、Lx2線、Ly1線、Ly2線とし、Lx1線、Lx2線、Ly1線、Ly2線が基板水平面とのなす角度をそれぞれ、Ax1、Ax2、Ay1、Ay2としたとき、少なくともAx1、Ax2、Ay1、Ay2のいずれか一つが異なる値とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-01-12 |
| 申请日期 | 2004-06-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82706]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乙間 広己,山本 将央,櫻井 淳. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2006013366A. 2006-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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