集成型半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊豆博昭; 山口勤; 大保广树; 广山良治; 畑雅幸; 太田洁 |
| 发表日期 | 2010-09-08 |
| 专利号 | CN101826703A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 集成型半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。 |
| 公开日期 | 2010-09-08 |
| 申请日期 | 2005-09-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82715]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊豆博昭,山口勤,大保广树,等. 集成型半导体激光元件及其制造方法. CN101826703A. 2010-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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