边缘发射的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 哈拉尔德・柯尼希; 乌韦・施特劳斯; 沃尔夫冈・雷耶 |
| 发表日期 | 2013-01-23 |
| 专利号 | CN102893466A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 边缘发射的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种边缘发射的半导体激光器（1001），其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括适合于产生电磁辐射的有源区（5）；在所述有源区（5）上的至少两个小面（7），所述小面形成谐振器（55）；至少两个在侧向方向（100）上通过至少一个中间区域（22）彼此隔开的接触部位（2），所述接触部位安装在半导体本体（1）的外面（11）上。 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 申请日期 | 2011-05-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82717]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 哈拉尔德・柯尼希,乌韦・施特劳斯,沃尔夫冈・雷耶. 边缘发射的半导体激光器. CN102893466A. 2013-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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