光半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 泷口透 |
| 发表日期 | 2013-06-05 |
| 专利号 | CN103138156A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明得到能够防止光输出下降的光半导体装置。光波导（2）与半导体激光器（1）对接接合。半导体激光器（1）是具有InGaAsP应变量子阱有源层（5）和覆盖InGaAsP应变量子阱有源层（5）的侧面的埋入层（17）的台面构造。光波导（2）是具有由与InGaAsP应变量子阱有源层（5）不同的层构造构成的AlGaInAs量子阱光波导层（9）和覆盖AlGaInAs量子阱光波导层（9）的侧面的埋入层（17）的台面构造。光波导（2）的台面宽度（W2）比半导体激光器（1）的台面宽度（W1）窄。 |
| 公开日期 | 2013-06-05 |
| 申请日期 | 2012-11-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82747]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 泷口透. 光半导体装置. CN103138156A. 2013-06-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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